Hiina ROHS-i ja REACH-i nõuetele vastav aksiaalne summutuskondensaator SMJ-TE tehas ja tarnijad

ROHS-i ja REACH-i nõuetele vastav aksiaalne summutuskondensaator SMJ-TE

Lühike kirjeldus:

Summutuskondensaator
CRE seeria IGBT summutuskondensaatorid vastavad ROHS ja REACH nõuetele.

1. Leegiaeglustavad omadused

2. Plastkorpus või Mylar-teibist korpus

3. epoksüüdiga täidetud ots

4. Vastab UL94 standardile

5. Saadaval on eritellimusel valmistatud tooted

Saada meile e-kiri Laadi alla PDF-failina

Toote üksikasjad

Tootesildid

SMJ-TE seeria

Metalliseeritud polüpropüleenist kile summutuskondensaator

Iseparanevad, kuivtüüpi summutuskondensaatori elemendid on valmistatud spetsiaalselt profileeritud, lainekujuliselt lõigatud metalliseeritud PP-kilest, mis tagab madala iseinduktiivsuse, kõrge purunemiskindluse ja kõrge töökindluse. Ülerõhu korral lahtiühendamist ei peeta vajalikuks. Kondensaatori ülemine osa on suletud isekustuvast keskkonnasõbraliku epoksüüdvaiguga. Spetsiaalne disain tagab väga madala iseinduktiivsuse.

Spetsifikatsioonide tabel

SMJ-TE aksiaalkondensaator
Pinge		Un630V.DC; Urms400Vac; Us 945V
Mahtuvus (µF)	L (mm±1)	T (mm±1)	Kõrgus (mm±1)	φd (mm)	ESR 100 kHz juures (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0,22	32	9.5	17,5	0,8	16	23	300	66	5.3
0,33	32	12	20	1	13	22	200	66	6.5
0,47	32	14.5	22,5	1	11	21	220	103.4	8.3
0,68	32	18	26	1	10	20	180	122,4	9.5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7.6
1.5	37	13.5	21.5	1	7	27	150	225	9.5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2.5	37	18	26	1.2	5.5	25	120	300	10.5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10.8
3.3	37	21	29	1.2	4.5	30	110	363	11.2
4	57	27	36,5	1.2	4.2	32	220	880	12.8
4.7	57	28	40,5	1.2	3.8	32	200	940	13.8
5.6	57	31	33,5	1.2	3.5	32	185	1036	13.5
6.8	37	29	41,5	1.2	2.5	28	100	680	13.8
6.8	57	34	46,5	1.2	2.8	30	180	1224	14.2
Pinge		Un 1000V.DC; Urms 500Vac; Us 1500V
Mahtuvus (µF)	L (mm±1)	T (mm±1)	Kõrgus (mm±1)	φd (mm)	ESR 100 kHz juures (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0,15	32	10	17,5	0,8	20	20	1100	165	5.5
0,22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0,33	32	15.5	23	1	13	21	1000	330	8.7
0,47	32	18,5	26	1.2	10	23	1000	470	10.5
0,47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9.5
0,68	32	20	32,5	1.2	7	25	900	612	10.8
0,68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21.5	29,5	1.2	5.6	27	900	900	11
1.5	44	26	35,5	1.2	5	29	900	1350	12
1.5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40,5	1.2	4.8	30	800	1600	13.2
2	57	24	33,5	1.2	4.8	32	600	1200	12.8
2.2	44	30	42,5	1.2	4.2	32	600	1320	13.8
2.2	57	25	34,5	1.2	4.2	32	500	1100	13.5
2.5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40,5	1.2	3.5	34	480	1440	15.6
3.3	57	29,5	42	1.2	3.2	35	450	1485. aastal	16,5
3.5	57	30,5	43	1.2	3.2	35	450	1575. aastal	17.2
4.7	57	35	50,5	1.2	3	36	420	1974. aasta	17.8
5.6	57	38,5	65	1.2	2.8	38	400	2240	18.2
Pinge		Un 1200V.DC; Urms 550Vac; Us 1800V
Mahtuvus (µF)	L (mm±1)	T (mm±1)	Kõrgus (mm±1)	φd (mm)	ESR 100 kHz juures (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0,1	32	8.5	16	0,8	20	20	1300	130	6
0,15	32	10	17,5	1	18	20	1200	180	7.5
0,22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0,33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0,47	32	17,5	30	1.2	10	23	1200	564	9.5
0,47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9.8
0,68	32	21.5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0,68	44	18,5	26,5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1.5	44	26,5	39	1.2	5	30	950	1425	13.5
1.5	57	22,5	30,5	1.2	5	29	900	1350	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600	14.2
2	57	26,5	34,5	1.2	4.8	30	750	1500	13.8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760. aasta	14.5
2.2	57	27,5	35,5	1.2	4.2	35	700	1540. aasta	14.5
3	57	29	44,5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30,5	46	1.2	3.2	38	450	1485. aastal	17.8
4.7	57	38	53,5	1.2	3	38	420	1974. aasta	18.2
Pinge		Un 1700V.DC; Urms 600Vac; Us 2550V
Mahtuvus (µF)	L (mm±1)	T (mm±1)	Kõrgus (mm±1)	φd (mm)	ESR 100 kHz juures (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0,1	32	9.5	17,5	0,8	18	25	1300	130	7.5
0,15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8.5
0,22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0,33	32	18,5	26,5	1	12	22	1200	396	9.9
0,33	44	13.5	21.5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0,47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0,68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33,5	1.2	5.6	26	900	900	12.4
1	57	19,5	27,5	1.2	6	33	850	850	10.8
1.5	44	28	40,5	1.2	4.8	25	800	1200	13.5
1.5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13.5
2	44	31,5	47	1.2	4.5	24	750	1500	14.2
2	57	27,5	37	1.2	4.8	32	650	1300	12.8
2.2	44	33,5	49	1.2	4.5	34	700	1540. aasta	15.6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320	14.5
3	57	31	46,5	1.2	4	30	560	1680. aasta	17.2
3.3	57	33	48,5	1.2	3.2	29	500	1650. aasta	17.6
4	57	37	52,5	1.2	3	28	450	1800. aasta	18.2
Pinge		Un 2000V.DC; Urms 700Vac; Us 3000V
Mahtuvus (µF)	L (mm±1)	T (mm±1)	Kõrgus (mm±1)	φd (mm)	ESR 100 kHz juures (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0,068	32	9	17	0,8	25	23	1500	102	6.9
0,1	32	11.5	19,5	1	18	22	1500	150	8.2
0,1	37	10.5	18,5	1	18	26	1450	145	8
0,22	32	17,5	25,5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0,22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0,33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412,5	9.5
0,33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0,47	44	19,5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0,68	44	24	36,5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0,68	57	18,5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23,5	36	1.2	6	31	950	950	14.5
1.5	57	29,5	42	1.2	5	31	850	1275	14.5
2	57	33	48,5	1.2	4.2	31	750	1500	16,5
2.2	57	35	50,5	1.2	4	30	700	1540. aasta	17.8
Pinge		Un 3000V.DC; Urms 750Vac; Us 4500V
Mahtuvus (µF)	L (mm±1)	T (mm±1)	Kõrgus (mm±1)	φd (mm)	ESR 100 kHz juures (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0,047	44	13.5	21.5	1	22	20	2000. aasta	94	8.5
0,068	44	17	25	1	20	20	1800. aasta	122,4	10.5
0,1	44	20.5	28,5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0,15	44	26	34	1.2	16	22	1350	202,5	13.8
0,22	44	29	41,5	1.2	14.5	22	1200	264	14.5