Trendikad tooted Nelja kontaktiga klemmkondensaator - metalliseeritud kilega IGBT summutuskondensaator – CRE

Lühike kirjeldus:

Saada meile e-kiri Laadi alla PDF-failina

Toote üksikasjad

Tootesildid

Seotud video

Tagasiside (2)

Kiired ja väga head hinnapakkumised, teadlikud nõustajad, kes aitavad teil valida õige kauba, mis vastab kõigile teie eelistustele, lühike tootmisaeg, vastutustundlik suurepärane juhtimisoskus ning erinevad ettevõtted makse- ja saatmisasjade jaoks.Kõrge Dv/Dt taluvus Gto summutus , Ess kondensaator , Kõrgsagedusliku vahelduvvoolu filtri kondensaatorEt saada kasu meie tugevatest OEM/ODM-võimalustest ja hoolivatest teenustest, võtke meiega juba täna ühendust. Me loome ja jagame siiralt edu kõigi klientidega.

Trendikad tooted Nelja kontaktiga klemmkondensaator - metalliseeritud kilega IGBT summutuskondensaator – CRE Detailid:

Tehnilised andmed

Töötemperatuuri vahemik	Maksimaalne töötemperatuur, ülemine, max: +105 ℃, ülemise kategooria temperatuur: +85 ℃, alumise kategooria temperatuur: -40 ℃
mahtuvusvahemik	0,1 μF～5,6 μF
Nimipinge	700 V alalisvoolu ～ 3000 V alalisvoolu
Kap.tol	±5% (J); ±10% (K)
Taluma pinget	1,5Un DC/10S
Hajumisfaktor	tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz
Isolatsioonitakistus	C≤0,33 μF RS≥15000 MΩ (temperatuuril 20 ℃ 100 V alalisvoolu 60 sekundit) C＞0,33μF RS*C≥5000S (temperatuuril 20 ℃ 100 V alalisvoolu 60S)
Taluma löökvoolu	具体见规格表
Leegiaeglustus	UL94V-0
Oodatav eluiga	100000h (Un; Θhotspot≤85°C)
Võrdlusstandard	IEC61071; GB/T17702;

Pinge			Un 700V.DC, Urms 400Vac; Us 1050V
	Läbimõõt (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR 100 kHz juures (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @ 40℃ @ 100KHz (A)
0,47	42,5	24,5	27,5	12	25	500	235	8
0,68	42,5	24,5	27,5	10	25	480	326,4	10
1	42,5	24,5	27,5	8	24	450	450	12
1.5	42,5	33,5	35,5	7	25	430	645	5
2	42,5	33	35,5	6	24	420	840	15
2.5	42,5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42,5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57,5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42,5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57,5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57,5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57,5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57,5	38	54	3.5	33	230	1380. aasta	28
6.8	57,5	42,5	56	3.2	32	220	1496. aastal	32
8	57,5	42,5	56	2.8	30	200	1600	33


Pinge			Un 1000V.DC, Urms 500Vac; Us 1500V
	Läbimõõt (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	25	1000	470	10
0,68	42,5	24,5	27,5	8	25	800	544	12
1	42,5	33,5	35,5	6	24	800	800	15
1.5	42,5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42,5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57,5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57,5	35	50	4	30	600	1800. aasta	25
3.3	57,5	35	50	3.5	28	550	1815. aasta	25
3.5	57,5	38	54	3.5	28	500	1750. aasta	25
4	57,5	38	54	3.2	26	500	2000. aasta	28
4.7	57,5	42,5	56	3	25	420	1974. aasta	30
5.6	57,5	42,5	56	2.8	24	400	2240	32

Pinge			Un 1200V.DC, Urms 550Vac; Us 1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	24	1200	564	10
0,68	42,5	33,5	35,5	7	23	1100	748	12
1	42,5	33,5	35,5	6	22	800	800	14
1.5	42,5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57,5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57,5	35	50	4	28	700	1750. aasta	25
3	57,5	35	50	4	27	600	1800. aasta	25
3.3	57,5	38	54	4	27	550	1815. aasta	28
3.5	57,5	38	54	3.5	25	500	1750. aasta	28
4	57,5	42,5	56	3.5	25	450	1800. aasta	30
4.7	57,5	42,5	56	3.2	23	420	1974. aasta	32

Pinge			Un 1700V.DC, Urms 575Vac; Us 2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,33	42,5	24,5	27,5	12	25	1300	429	9
0,47	42,5	24,5	27,5	10	24	1300	611	10
0,68	42,5	33,5	35,5	8	23	1300	884	12
1	42,5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42,5	33	45	6	22	1200	1800. aasta	18
1.5	57,5	30	45	5	31	1200	1800. aasta	20
2	57,5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57,5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57,5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57,5	38	54	3.8	26	600	1980. aastal	28
3.5	57,5	42,5	56	3.5	25	500	1750. aasta	30
4	57,5	42,5	56	3.2	25	450	1800. aasta	32

Pinge			Un 2000V.DC, Urms 700Vac; Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,22	42,5	24,5	27,5	15	25	1500	330	10
0,33	42,5	33,5	35,5	12	24	1500	495	12
0,47	42,5	33,5	35,5	11	23	1400	658	15
0,68	42,5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57,5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42,5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57,5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57,5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57,5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57,5	42,5	56	4	23	700	1540. aasta	32

Pinge			Un 3000V.DC, Urms 750Vac; Us 4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,15	42,5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42,5	33	45	15	27	2200	484	28
0,22	57,5	35	50	15	25	2000. aasta	330	20
0,33	57,5	35	50	12	24	1800. aasta	495	20
0,47	57,5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57,5	42,5	56	8	22	1500	1020	28

Funktsioon

1. Plastik, vaiguga suletud;

2. Tinaga kaetud vaskdetailidega juhtmed, lihtne paigaldus IGBT jaoks;

3. Vastupidavus kõrgepingele, madal tgδ, madal temperatuuri tõus;

4. madal ESL ja ESR;

5. Suur impulssvool.

Madala induktiivsusega sisekonstruktsioonide, valikuliste vormitud vaigust korpuste ja kohandatud klemmide abil on SMJ-P seeria loodud kiireks IGBTS-transistoride lülitamiseks ning neid saab kasutada summutusfiltritena ja suure voolutugevusega kõrgsageduslike sisendfiltritena.

Toote detailpildid:

Seotud tootejuhend:

Meie ulatuslikud projektijuhtimise kogemused ja individuaalne tugimudel muudavad ärisuhtluse ja teie ootuste hõlpsa mõistmise väga oluliseks. Trendikad tooted: nelja kontaktiga klemmkondensaator - metalliseeritud kilega IGBT summutuskondensaator – CRE. Toodet tarnitakse üle kogu maailma, näiteks Lyoni, Madridi, Luksemburgi. Et kliendid saaksid meisse rohkem usaldada ja saada kõige mugavamat teenindust, juhime oma ettevõtet aususe, siiruse ja parima kvaliteediga. Usume kindlalt, et meile teeb rõõmu aidata klientidel oma äri edukamalt ajada ning et meie kogenud nõuanded ja teenindus aitavad klientidel teha sobivamaid valikuid.

Kohandatud kilekondensaator