Tehases valmistatud IGBT-transistoride summutuskondensaator - polüpropüleenkilest valmistatud madala kadudega dielektrik IGBT-rakenduste summutuskondensaator – CRE

Tehases valmistatud IGBT-tüüpi summutuskondensaator - polüpropüleenkilest valmistatud madala kadudega dielektrik IGBT-rakenduste jaoks - CRE esiletõstetud pilt

Lühike kirjeldus:

Saada meile e-kiri Laadi alla PDF-failina

Toote üksikasjad

Tootesildid

Seotud video

Tagasiside (2)

Innovatsioon, tipptase ja usaldusväärsus on meie ettevõtte põhiväärtused. Need põhimõtted moodustavad tänapäeval palju enam kui kunagi varem meie edu aluse rahvusvaheliselt tegutseva keskmise suurusega ettevõttena.Dc-Link kondensaator autotööstusele , Dc-Link kondensaatorid võimsusmuundurites , Kõrgepinge polüpropüleenist kilekondensaatorMeie prioriteediks on kvaliteet ja klientide rahulolu ning selleks järgime rangeid kvaliteedikontrolli meetmeid. Meil on oma testimisüksused, kus meie tooteid testitakse igas aspektis eri töötlemisetappides. Kasutades uusimaid tehnoloogiaid, pakume oma klientidele kohandatud tootmisüksusi.

Tehases valmistatud IGBT-tüüpi summutuskondensaator - polüpropüleenkilest valmistatud madala kadudega dielektrik IGBT-rakenduste summutuskondensaator – CRE detail:

SMJ-P seeria

Nimipinge vahemik: 1000 V kuni 2000 V
Mahtuvuse vahemik: 0,1 µF kuni 3,0 µF
Paigaldussamm: 22,5 mm kuni 48 mm
Konstruktsioon: Metalliseeritud polüpropüleenist dielektriline sisemine seeriaühendus
Rakendus: IGBT kaitse, resonantsi paagiahelad

Iseparanevad, kuivtüüpi summutuskondensaatori elemendid on valmistatud spetsiaalselt profileeritud, lainelõikega metalliseeritud PP-kilest, mis tagab madala iseinduktiivsuse, kõrge purunemiskindluse ja kõrge töökindluse. Ülerõhu korral lahtiühendamist ei peeta vajalikuks. Kondensaatori ülemine osa on suletud isekustuvast keskkonnasõbraliku epoksüüdvaiguga. Spetsiaalne disain tagab väga madala iseinduktiivsuse.

IMG_0397.HEIC

Spetsifikatsioonide tabel

Pinge	Un 700V.DC, Urms 400Vac; Us 1050V
	Läbimõõt (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR 100 kHz juures (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @ 40℃ @ 100KHz (A)
0,47	42,5	24,5	27,5	12	25	500	235	8
0,68	42,5	24,5	27,5	10	25	480	326,4	10
1	42,5	24,5	27,5	8	24	450	450	12
1.5	42,5	33,5	35,5	7	25	430	645	5
2	42,5	33	35,5	6	24	420	840	15
2.5	42,5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42,5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57,5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42,5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57,5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57,5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57,5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57,5	38	54	3.5	33	230	1380. aasta	28
6.8	57,5	42,5	56	3.2	32	220	1496. aastal	32
8	57,5	42,5	56	2.8	30	200	1600	33

Pinge	Un 1000V.DC, Urms 500Vac; Us 1500V
	Läbimõõt (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	25	1000	470	10
0,68	42,5	24,5	27,5	8	25	800	544	12
1	42,5	33,5	35,5	6	24	800	800	15
1.5	42,5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42,5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57,5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57,5	35	50	4	30	600	1800. aasta	25
3.3	57,5	35	50	3.5	28	550	1815. aasta	25
3.5	57,5	38	54	3.5	28	500	1750. aasta	25
4	57,5	38	54	3.2	26	500	2000. aasta	28
4.7	57,5	42,5	56	3	25	420	1974. aasta	30
5.6	57,5	42,5	56	2.8	24	400	2240	32

Pinge	Un 1200V.DC, Urms 550Vac; Us 1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	24	1200	564	10
0,68	42,5	33,5	35,5	7	23	1100	748	12
1	42,5	33,5	35,5	6	22	800	800	14
1.5	42,5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57,5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57,5	35	50	4	28	700	1750. aasta	25
3	57,5	35	50	4	27	600	1800. aasta	25
3.3	57,5	38	54	4	27	550	1815. aasta	28
3.5	57,5	38	54	3.5	25	500	1750. aasta	28
4	57,5	42,5	56	3.5	25	450	1800. aasta	30
4.7	57,5	42,5	56	3.2	23	420	1974. aasta	32

Pinge	Un 1700V.DC, Urms 575Vac; Us 2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,33	42,5	24,5	27,5	12	25	1300	429	9
0,47	42,5	24,5	27,5	10	24	1300	611	10
0,68	42,5	33,5	35,5	8	23	1300	884	12
1	42,5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42,5	33	45	6	22	1200	1800. aasta	18
1.5	57,5	30	45	5	31	1200	1800. aasta	20
2	57,5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57,5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57,5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57,5	38	54	3.8	26	600	1980. aastal	28
3.5	57,5	42,5	56	3.5	25	500	1750. aasta	30
4	57,5	42,5	56	3.2	25	450	1800. aasta	32

Pinge	Un 2000V.DC, Urms 700Vac; Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,22	42,5	24,5	27,5	15	25	1500	330	10
0,33	42,5	33,5	35,5	12	24	1500	495	12
0,47	42,5	33,5	35,5	11	23	1400	658	15
0,68	42,5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57,5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42,5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57,5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57,5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57,5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57,5	42,5	56	4	23	700	1540. aasta	32

Pinge	Un 3000V.DC, Urms 750Vac; Us 4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,15	42,5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42,5	33	45	15	27	2200	484	28
0,22	57,5	35	50	15	25	2000. aasta	330	20
0,33	57,5	35	50	12	24	1800. aasta	495	20
0,47	57,5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57,5	42,5	56	8	22	1500	1020	28

Toote detailpildid:

Seotud tootejuhend:

Meie eesmärkideks on "kliendisõbralikkus, kvaliteedile orienteeritus, integreerivus ja uuendusmeelsus". "Tõde ja ausus" on meie juhtimisideaal IGBT-i summutuskondensaatorite tehasetootmiseks - polüpropüleenkilest valmistatud madala kadudega dielektrik IGBT-rakenduste jaoks - CRE. Toodet tarnitakse kogu maailmas, näiteks Ghanasse, Haitile, Brasiiliasse. Meie tooted on kasutajate seas laialdaselt tunnustatud ja usaldusväärsed ning vastavad pidevalt muutuvatele majanduslikele ja sotsiaalsetele vajadustele. Ootame uusi ja vanu kliente igast eluvaldkonnast meiega ühendust võtma tulevaste ärisuhete ja vastastikuse edu saavutamiseks!

Ac-kile kondensaatorpank