E-mail: info@cre-elec.com
English
  • bbb

Tehases valmistatud IGBT-transistoride summutuskondensaator - polüpropüleenkilest valmistatud madala kadudega dielektrik IGBT-rakenduste summutuskondensaator – CRE

Tehases valmistatud IGBT-tüüpi summutuskondensaator - polüpropüleenkilest valmistatud madala kadudega dielektrik IGBT-rakenduste jaoks - CRE esiletõstetud pilt
  • Tehases valmistatud IGBT-transistoride summutuskondensaator - polüpropüleenkilest valmistatud madala kadudega dielektrik IGBT-rakenduste summutuskondensaator – CRE
  • Tehases valmistatud IGBT-transistoride summutuskondensaator - polüpropüleenkilest valmistatud madala kadudega dielektrik IGBT-rakenduste summutuskondensaator – CRE
  • Tehases valmistatud IGBT-transistoride summutuskondensaator - polüpropüleenkilest valmistatud madala kadudega dielektrik IGBT-rakenduste summutuskondensaator – CRE
  • Tehases valmistatud IGBT-transistoride summutuskondensaator - polüpropüleenkilest valmistatud madala kadudega dielektrik IGBT-rakenduste summutuskondensaator – CRE

Lühike kirjeldus:


Laadi alla PDF-failina

Toote üksikasjad

Tootesildid

Seotud video

Tagasiside (2)

Meie eesmärk on välja selgitada tootmisest pärit kvaliteedihäired ja pakkuda parimat teenust nii kodumaistele kui ka välismaistele klientidele kogu südamestKuivtüüpi kilekondensaatori lahendus , Ac-kile kondensaatorpank , Induktsioonkütte toiteallika kondensaatorOotame siiralt kõiki külalisi meiega väikeettevõtete ühendusi looma vastastikuse positiivse külje alusel. Võtke meiega kohe ühendust. Saame teile professionaalse vastuse 8 tunni jooksul.
Tehases valmistatud IGBT-tüüpi summutuskondensaator - polüpropüleenkilest valmistatud madala kadudega dielektrik IGBT-rakenduste summutuskondensaator – CRE detail:

SMJ-P seeria

Nimipinge vahemik: 1000 V kuni 2000 V
Mahtuvuse vahemik: 0,1 µF kuni 3,0 µF
Paigaldussamm: 22,5 mm kuni 48 mm
Konstruktsioon: Metalliseeritud polüpropüleenist dielektriline sisemine seeriaühendus
Rakendus: IGBT kaitse, resonantsi paagiahelad

Iseparanevad, kuivtüüpi summutuskondensaatori elemendid on valmistatud spetsiaalselt profileeritud, lainelõikega metalliseeritud PP-kilest, mis tagab madala iseinduktiivsuse, kõrge purunemiskindluse ja kõrge töökindluse. Ülerõhu korral lahtiühendamist ei peeta vajalikuks. Kondensaatori ülemine osa on suletud isekustuvast keskkonnasõbraliku epoksüüdvaiguga. Spetsiaalne disain tagab väga madala iseinduktiivsuse.

IMG_0397.HEIC

Spetsifikatsioonide tabel

Pinge Un 700V.DC, Urms 400Vac; Us 1050V
Läbimõõt (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR 100 kHz juures (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @ 40℃ @ 100KHz (A)
0,47 42,5 24,5 27,5 12 25 500 235 8
0,68 42,5 24,5 27,5 10 25 480 326,4 10
1 42,5 24,5 27,5 8 24 450 450 12
1.5 42,5 33,5 35,5 7 25 430 645 5
2 42,5 33 35,5 6 24 420 840 15
2.5 42,5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42,5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57,5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42,5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57,5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57,5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57,5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57,5 38 54 3.5 33 230 1380. aasta 28
6.8 57,5 42,5 56 3.2 32 220 1496. aastal 32
8 57,5 42,5 56 2.8 30 200 1600 33
Pinge Un 1000V.DC, Urms 500Vac; Us 1500V
Läbimõõt (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,47 42,5 24,5 27,5 11 25 1000 470 10
0,68 42,5 24,5 27,5 8 25 800 544 12
1 42,5 33,5 35,5 6 24 800 800 15
1.5 42,5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42,5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57,5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57,5 35 50 4 30 600 1800. aasta 25
3.3 57,5 35 50 3.5 28 550 1815. aasta 25
3.5 57,5 38 54 3.5 28 500 1750. aasta 25
4 57,5 38 54 3.2 26 500 2000. aasta 28
4.7 57,5 42,5 56 3 25 420 1974. aasta 30
5.6 57,5 42,5 56 2.8 24 400 2240 32
Pinge Un 1200V.DC, Urms 550Vac; Us 1800V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,47 42,5 24,5 27,5 11 24 1200 564 10
0,68 42,5 33,5 35,5 7 23 1100 748 12
1 42,5 33,5 35,5 6 22 800 800 14
1.5 42,5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57,5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57,5 35 50 4 28 700 1750. aasta 25
3 57,5 35 50 4 27 600 1800. aasta 25
3.3 57,5 38 54 4 27 550 1815. aasta 28
3.5 57,5 38 54 3.5 25 500 1750. aasta 28
4 57,5 42,5 56 3.5 25 450 1800. aasta 30
4.7 57,5 42,5 56 3.2 23 420 1974. aasta 32
Pinge Un 1700V.DC, Urms 575Vac; Us 2250V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,33 42,5 24,5 27,5 12 25 1300 429 9
0,47 42,5 24,5 27,5 10 24 1300 611 10
0,68 42,5 33,5 35,5 8 23 1300 884 12
1 42,5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42,5 33 45 6 22 1200 1800. aasta 18
1.5 57,5 30 45 5 31 1200 1800. aasta 20
2 57,5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57,5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57,5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57,5 38 54 3.8 26 600 1980. aastal 28
3.5 57,5 42,5 56 3.5 25 500 1750. aasta 30
4 57,5 42,5 56 3.2 25 450 1800. aasta 32
Pinge Un 2000V.DC, Urms 700Vac; Us3000V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,22 42,5 24,5 27,5 15 25 1500 330 10
0,33 42,5 33,5 35,5 12 24 1500 495 12
0,47 42,5 33,5 35,5 11 23 1400 658 15
0,68 42,5 33 45 8 22 1200 816 18
0,68 57,5 30 45 7 30 1100 748 20
0,82 42,5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57,5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57,5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57,5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57,5 42,5 56 4 23 700 1540. aasta 32
Pinge Un 3000V.DC, Urms 750Vac; Us 4500V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,15 42,5 33 45 18 28 2500 375 25
0,22 42,5 33 45 15 27 2200 484 28
0,22 57,5 35 50 15 25 2000. aasta 330 20
0,33 57,5 35 50 12 24 1800. aasta 495 20
0,47 57,5 38 54 11 23 1600 752 22
0,68 57,5 42,5 56 8 22 1500 1020 28
Toote detailpildid:

Tehases valmistatud IGBT-tüüpi summutuskondensaator - polüpropüleenkilest valmistatud madala kadudega dielektrik IGBT-rakenduste jaoks – CRE detailpildid

Tehases valmistatud IGBT-tüüpi summutuskondensaator - polüpropüleenkilest valmistatud madala kadudega dielektrik IGBT-rakenduste jaoks – CRE detailpildid

Tehases valmistatud IGBT-tüüpi summutuskondensaator - polüpropüleenkilest valmistatud madala kadudega dielektrik IGBT-rakenduste jaoks – CRE detailpildid

Tehases valmistatud IGBT-tüüpi summutuskondensaator - polüpropüleenkilest valmistatud madala kadudega dielektrik IGBT-rakenduste jaoks – CRE detailpildid

Seotud tootejuhend:
Lähtudes veendumusest "luua tipptasemel tooteid ja leida sõpru inimestega üle kogu maailma", seame tehases valmistatud IGBT-kondensaatori - polüpropüleenkilest madala kadudega dielektriku - vastu tavaliselt ostjate huvi esikohale. Toodet tarnitakse üle kogu maailma, näiteks Alžeeriasse, Anguillasse, Türki. 11 aasta jooksul oleme osalenud enam kui 20 näitusel ja pälvinud igalt kliendilt kõrgeimat kiitust. Meie ettevõte on pühendunud "klient esikohale" ja on pühendunud klientide äritegevuse laiendamisele, et neist saaksid suured ülemused!
    • Oleme vanad sõbrad, ettevõtte tootekvaliteet on alati olnud väga hea ja seekord on ka hind väga soodne. 5 tärni Rita Tuneesiast - 2018.09.21 11:44
    Lai valik, hea kvaliteet, mõistlikud hinnad ja hea teenindus, täiustatud seadmed, suurepärased anded ja pidevalt tugevnevad tehnoloogilised jõud – tore äripartner. 5 tärni Autor: Victor Yanushkevich, Jaapan - 2017.12.19 11:10

    Saada meile oma sõnum:

    Kirjuta oma sõnum siia ja saada see meile

    Tootekategooriad

    Saada meile oma sõnum: